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N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP310N10F7

DigiKey-Teilenr.
497-13233-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP310N10F7
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP310N10F7 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,7mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP310
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