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AOT282L | |
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DigiKey-Teilenr. | AOT282L-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT282L |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 18,5 A (Ta), 105 A (Tc) 2,1W (Ta), 272,5W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 178 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7765 pF @ 40 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 272,5W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 20A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| FDP032N08B-F102 | onsemi | 799 | FDP032N08B-F102-ND | € 3,34000 | Ähnlich |
| FDP036N10A | onsemi | 2 859 | FDP036N10A-ND | € 5,36000 | Ähnlich |
| FDP86363-F085 | onsemi | 183 | FDP86363-F085-ND | € 3,66000 | Ähnlich |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 94 | TK100E08N1S1X-ND | € 5,25000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,71253 | € 1 712,53 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,71253 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,08929 |




