STP21NM50N ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 461
Stückpreis : € 5,67000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 669
Stückpreis : € 3,27000
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 232
Stückpreis : € 2,19000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 544
Stückpreis : € 3,12000
Datenblatt
N-Kanal 500 V 18 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP21NM50N

DigiKey-Teilenr.
497-4820-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP21NM50N
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 18 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP21NM50N Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1950 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.