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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP20N50E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP20N50E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP20N50E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 500 V 19 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP20N50E-GE3 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 92 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 179W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 184mOhm bei 10A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,30000 | € 3,30 |
| 10 | € 2,15900 | € 21,59 |
| 100 | € 1,50850 | € 150,85 |
| 500 | € 1,23090 | € 615,45 |
| 1 000 | € 1,14170 | € 1 141,70 |
| 2 000 | € 1,06675 | € 2 133,50 |
| 5 000 | € 1,00926 | € 5 046,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,30000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,02600 |
