Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 18.6172 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTWA60N120G2-4
DigiKey-Teilenr.	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTWA60N120G2-4
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTWA60N120G2-4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1969 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 229

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Verfügbar bis: 15.02.2026

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 15,26000	€ 15,26
10	€ 12,13300	€ 121,33
30	€ 11,21867	€ 336,56
120	€ 10,40183	€ 1 248,22
270	€ 10,05237	€ 2 714,14
510	€ 9,82890	€ 5 012,74

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.