N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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SCT040W120G3-4

DigiKey-Teilenr.
497-SCT040W120G3-4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT040W120G3-4
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,2V bei 5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+18V, -5V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1329 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
54mOhm bei 16A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 10,60000€ 10,60
30€ 6,35433€ 190,63
120€ 5,42333€ 650,80
510€ 4,78069€ 2 438,15
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