
SCT040W120G3-4 | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-SCT040W120G3-4-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCT040W120G3-4 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,2V bei 5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +18V, -5V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1329 pF @ 800 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 312W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 16A, 18V | Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 10,60000 | € 10,60 |
| 30 | € 6,35433 | € 190,63 |
| 120 | € 5,42333 | € 650,80 |
| 510 | € 4,78069 | € 2 438,15 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 10,60000 |
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| Stückpreis mit MwSt.: | € 12,93200 |

