Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ7E110AJTCR
DigiKey-Teilenr.	RQ7E110AJTCRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ7E110AJTCR
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11 A (Tc) 1,5W (Tc) Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ7E110AJTCR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 4,5A, 11V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2410 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	RQ7E110