Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RQ3L050GNTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3L050GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3L050GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3L050GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 12 A (Tc) 14,8W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3L050GNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	61mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	300 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	14,8W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	RQ3L050