IGBT Trench Feldstopp 650 V 17 A 39 W Durchkontaktierung TO-220NFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGT40TM65DGC9

DigiKey-Teilenr.
RGT40TM65DGC9-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RGT40TM65DGC9
Beschreibung
IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220NFM
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Trench Feldstopp 650 V 17 A 39 W Durchkontaktierung TO-220NFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
17 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
60 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 20A
Leistung - Max.
39 W
Schaltenergie
-
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
40 nC
Td (on/off) bei 25°C
22ns/75ns
Testbedingung
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
58 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220NFM
Basis-Produktnummer
RGT40
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