Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 3.5258 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6007ENX
DigiKey-Teilenr.	R6007ENX-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6007ENX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	R6007ENX Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 390 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 620mOhm bei 2,4A, 10V	Basis-Produktnummer R6007

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPAN65R650CEXKSA1	Infineon Technologies	14	IPAN65R650CEXKSA1-ND	€ 1,42000	Ähnlich
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	€ 3,90000	Ähnlich
TK8A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	40	TK8A65WS5X-ND	€ 2,29000	Ähnlich

Auf Lager: 490

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Lose im Beutel

Standardverpackung des Herstellers

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,89000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 3,52580

R6007ENX