
IPAN65R650CEXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPAN65R650CEXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAN65R650CEXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAN65R650CEXKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 210µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 440 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 28W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 2,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPAN70R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 500 | IPAN70R600P7SXKSA1-ND | € 1,35000 | Vom Hersteller empfohlen |
| FCPF850N80Z | onsemi | 778 | FCPF850N80Z-ND | € 3,37000 | Ähnlich |
| IXTP4N70X2M | IXYS | 24 | 238-IXTP4N70X2M-ND | € 3,90000 | Ähnlich |
| STF10LN80K5 | STMicroelectronics | 183 | 497-16499-5-ND | € 3,39000 | Ähnlich |
| STP10NK70ZFP | STMicroelectronics | 952 | 497-12602-5-ND | € 4,67000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,42000 | € 1,42 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,42000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,73240 |







