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PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP12CN10LGXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP12CN10LGXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP12CN10LGXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 69 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
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Herst.
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Stange
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Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 69A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,4V bei 83µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5600 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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