


FDP100N10 | |
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DigiKey-Teilenr. | FDP100N10-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP100N10 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP100N10 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7300 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 75A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19533KCS | Texas Instruments | 2 172 | 296-37482-5-ND | € 2,14000 | Ähnlich |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 319 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | € 2,50000 | Ähnlich |
| IPP12CN10LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 83 240 | 2156-IPP12CN10LGXKSA1-ND | € 0,93487 | Ähnlich |
| IXFP130N10T | IXYS | 0 | IXFP130N10T-ND | € 2,52123 | Ähnlich |
| STP120NF10 | STMicroelectronics | 17 743 | 497-4118-5-ND | € 5,15000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,80000 | € 3,80 |
| 50 | € 1,95740 | € 97,87 |
| 100 | € 1,77960 | € 177,96 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,80000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,63600 |

