Name: NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 488-NXH015F120M3F1PTG-ND
Price: 71.7238 EUR
Availability: InStock

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NXH015F120M3F1PTG
DigiKey-Teilenr.	488-NXH015F120M3F1PTG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH015F120M3F1PTG
Beschreibung	SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal	Mit Verarmungsschicht
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	77 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19mOhm bei 60A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 30mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	211nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4696pF bei 800V
Leistung - Max.	198W (Tj)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	22-PIM (33,8x42,5)
Basis-Produktnummer	NXH015

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