MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 38 A (Tc) 100W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
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NXH030F120M3F1PTG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH030F120M3F1PTG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH030F120M3F1PTG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 38 A (Tc) 100W (Tj) Chassisbefestigung 22-PIM (33,8x42,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 15mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110nC bei 18V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2246pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
100W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Montagetyp
Chassisbefestigung
FET-Merkmal
Mit Verarmungsschicht
Gehäuse / Hülle
Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäusetyp vom Lieferanten
22-PIM (33,8x42,5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
38 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
38,5mOhm bei 30A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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