Name: NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND
Price: 3.599 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFWS2D1N08XT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFWS2D1N08XT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFWS2D1N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFWS2D1N08XT1G
Beschreibung	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 181 A (Tc) 148W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	181 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,1mOhm bei 43A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 213µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	53 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3800 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	148W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFWS