Name: NVMFWS1D9N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND
Price: 3.9406 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFWS1D9N08XT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFWS1D9N08XT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFWS1D9N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFWS1D9N08XT1G
Beschreibung	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 201A (Tc) 164W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	201A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,6V bei 252µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4470 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	164W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NVMFWS