NTHD3101FT1G onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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NTHD3101FT1G
DigiKey-Teilenr.	NTHD3101FT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTHD3101FT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3,2 A (Tj) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTHD3101FT1G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 680 pF @ 10 V
Status der Komponente Obsolet	FET-Merkmal Schottky-Diode (isoliert)
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,1W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2 A (Tj)	Gehäusetyp vom Lieferanten ChipFET™
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle 8-SMD, flache Anschlüsse
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 80mOhm bei 3,2A, 4,5V	Basis-Produktnummer NTHD3101
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA

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