FGY75T95SQDT onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGY75T95SQDT
DigiKey-Teilenr.	FGY75T95SQDTOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGY75T95SQDT
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 950 V 150 A 434 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	950 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	150 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	300 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,11V bei 15V, 75A
Leistung - Max.	434 W
Schaltenergie	8,8mJ (Ein), 3,2mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	137 nC
Td (on/off) bei 25°C	28,8ns/117ns
Testbedingung	600V, 75A, 4,7Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	259 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	FGY75