Name: FGH75T65SQDT-F155
Brand: onsemi
SKU: FGH75T65SQDT-F155-ND
Price: 7.5274 EUR
Availability: InStock

IGBT Trench Feldstopp 650 V 150 A 375 W Durchkontaktierung TO-247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FGH75T65SQDT-F155
DigiKey-Teilenr.	FGH75T65SQDT-F155-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FGH75T65SQDT-F155
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 150 A 375 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FGH75T65SQDT-F155 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	150 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	300 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 75A
Leistung - Max.	375 W
Schaltenergie	300µJ (Ein), 70µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	128 nC
Td (on/off) bei 25°C	23ns/120ns
Testbedingung	400V, 18,8A, 4,7Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	76 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	FGH75

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