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N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH20N120L2KHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXSH20N120L2KHV-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXSH20N120L2KHV
Beschreibung
1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm bei 5A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
580 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge
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