Name: MMIX1X200N60B3H1
Brand: IXYS
SKU: MMIX1X200N60B3H1-ND
Price: 55.3026 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MMIX1X200N60B3H1
Digi-Key-Teilenr.	MMIX1X200N60B3H1-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	MMIX1X200N60B3H1
Beschreibung	IGBT 600V 175A 520W SMPD
Standardlieferzeit des Herstellers	73 Wochen
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 175 A 520 W Oberflächenmontage 24-SMPD
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Herst.	IXYS
Serie	GenX3™, XPT™
Gehäuse	Stange
Produktstatus	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	175 A
Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	1000 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,7V bei 15V, 100A
Leistung - Max.	520 W
Schaltenergie	2,85mJ (Ein), 2,9mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	315 nC
Td (on/off) bei 25°C	48ns/160ns
Testbedingung	360V, 100A, 1Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	100 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	24-PowerSMD, 21 Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	24-SMPD
Basis-Produktnummer	MMIX1X200

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	MMIX1X200N60B3H1
Informationen zur Umweltverträglichkeit	Ixys IC REACH
Datenblatt (HTML)	MMIX1X200N60B3H1

Umwelt- und Exportklassifikationen

Eigenschaft	Beschreibung
RoHS-Status	RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)	1 (Unbegrenzt)
REACH-Status	Von REACH nicht betroffen
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
California Proposition 65	Warnhinweise