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IXFP10N60P
IXYS
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N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 114W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXFP4N60P3

DigiKey-Teilenr.
IXFP4N60P3-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFP4N60P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4 A (Tc) 114W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
365 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP4N60
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