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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 1,28056
Datenblatt

Direkter Ersatz

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 7 821
Stückpreis : € 4,13000
Datenblatt

Ähnlich

BUK768R1-100E,118
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 7 389
Stückpreis : € 3,21000
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Ähnlich

BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,88022
Datenblatt

Ähnlich

DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
Vorrätig: 700
Stückpreis : € 2,03000
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Ähnlich

IRFS4410PBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
Datenblatt

Ähnlich

IRFS4410TRLPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 32
Stückpreis : € 4,09000
Datenblatt

Ähnlich

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 4 242
Stückpreis : € 2,44000
Datenblatt

Ähnlich

RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 600
Stückpreis : € 6,50000
Datenblatt

Ähnlich

SQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 259
Stückpreis : € 3,54000
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Ähnlich

STB100N10F7
STMicroelectronics
Vorrätig: 775
Stückpreis : € 2,99000
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Ähnlich

STB120NF10T4
STMicroelectronics
Vorrätig: 14 617
Stückpreis : € 4,85000
Datenblatt

Ähnlich

SUM110N10-09-E3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1 463
Stückpreis : € 7,13000
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Ähnlich

SUM70090E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 2 538
Stückpreis : € 2,06000
Datenblatt
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N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFA130N10T

DigiKey-Teilenr.
IXFA130N10T-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFA130N10T
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Trench
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
130 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,1mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5080 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA (IXFA)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXFA130
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