Name: STB100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14527-2-ND
Price: 3.6478 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB100N10F7
DigiKey-Teilenr.	497-14527-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-14527-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-14527-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB100N10F7
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB100N10F7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4369 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB100