Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 2.2448 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-Browse

ISC0802NLSATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC0802NLSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC0802NLSATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22A (Ta), 150A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 92µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5190 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-7
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC0802N

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,84000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,24480

ISC0802NLSATMA1