Name: DMT10H009LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LPS-13TR-ND
Price: 1.5494 EUR
Availability: InStock

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DMT10H009LPS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT10H009LPS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT10H009LPS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT10H009LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H009LPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10A (Ta), 90A (Tc) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10A (Ta), 90A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2309 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMT10