Name: IRF3710PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3710PBF-ND
Price: 3.0988 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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IRF3710PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF3710PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF3710PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 57 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF3710PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3130 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 57 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF3710
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 28A, 10V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,54000	€ 2,54
10	€ 1,63100	€ 16,31
100	€ 1,11260	€ 111,26
500	€ 0,89072	€ 445,36
1 000	€ 0,81940	€ 819,40
2 000	€ 0,75942	€ 1 518,84
5 000	€ 0,69455	€ 3 472,75
10 000	€ 0,65449	€ 6 544,90

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