PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R225C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP65R225C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R225C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R225C7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
225mOhm bei 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
996 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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100€ 1,12520€ 112,52
500€ 0,91014€ 455,07
1 000€ 0,84101€ 841,01
2 000€ 0,79018€ 1 580,36
Standardverpackung des Herstellers
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