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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R199CPXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R199CPXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nicht für Neukonstruktionen | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 199mOhm bei 9,9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 660µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 43 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1520 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 13
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,60000 | € 3,60 |
| 50 | € 1,83920 | € 91,96 |
| 100 | € 1,66900 | € 166,90 |
| 500 | € 1,37060 | € 685,30 |
| 1 000 | € 1,27478 | € 1 274,78 |
| 2 000 | € 1,23765 | € 2 475,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,60000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,39200 |
Italien