
IPP60R190E6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R190E6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R190E6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R190E6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56 890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | € 1,81879 | Direkter Ersatz |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | € 4,74000 | Ähnlich |
| FCP190N65S3 | onsemi | 635 | FCP190N65S3-ND | € 3,95000 | Ähnlich |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | € 5,02000 | Ähnlich |
| SIHP22N60E-E3 | Vishay Siliconix | 861 | 742-SIHP22N60E-E3-ND | € 4,51000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,24000 | € 3,24 |
| 50 | € 1,63360 | € 81,68 |
| 100 | € 1,47790 | € 147,79 |
| 500 | € 1,20486 | € 602,43 |
| 1 000 | € 1,11714 | € 1 117,14 |
| 2 000 | € 1,04342 | € 2 086,84 |
| 5 000 | € 0,98408 | € 4 920,40 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,24000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,95280 |



