Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

IPN60R2K1CEATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN60R2K1CEATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN60R2K1CEATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,1Ohm bei 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	140 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IPN60R2

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,64000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 0,78080

IPN60R2K1CEATMA1