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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPI086N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPI086N10N3GXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPI086N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 8 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPI086N10N3GXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 6V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 8,6mOhm bei 73A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 75µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 55 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3980 pF @ 50 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO262-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 500
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,90000 | € 1,90 |
| 50 | € 0,92240 | € 46,12 |
| 100 | € 0,82740 | € 82,74 |
| 500 | € 0,66080 | € 330,40 |
| 1 000 | € 0,60723 | € 607,23 |
| 2 000 | € 0,56218 | € 1 124,36 |
| 5 000 | € 0,53830 | € 2 691,50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,90000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,31800 |
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