Name: IPD60R1K5CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

IPD60R1K5CEAUMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R1K5CEAUMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 49W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R1K5CEAUMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 1,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 90µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	200 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	49W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD60R

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,82000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,00040

IPD60R1K5CEAUMA1