Name: IPB039N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB039N10N3GATMA1TR-ND
Price: 4.3432 EUR
Availability: InStock

IPB039N10N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB039N10N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB039N10N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB039N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB039N10N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 160 A (Tc) 214W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB039N10N3GATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	160 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,9mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 160µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	117 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8410 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	214W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	IPB039

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,56000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,34320

IPB039N10N3GATMA1