Name: IPB024N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND
Price: 5.1118 EUR
Availability: InStock

IPB024N10N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB024N10N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB024N10N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB024N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB024N10N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB024N10N5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 183µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	138 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Basis-Produktnummer	IPB024

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 4,19000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 5,11180

IPB024N10N5ATMA1