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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZA65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA65R020M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA65R020M2HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 9,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2038 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 273W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-8 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 46,9A, 20V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 15,42000 | € 15,42 |
| 30 | € 9,41533 | € 282,46 |
| 120 | € 8,10150 | € 972,18 |
| 510 | € 7,13990 | € 3 641,35 |
| 1 020 | € 6,78941 | € 6 925,20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 15,42000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 18,81240 |
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