Name: IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R020M1HXKSA1-ND
Price: 21.411 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMZA120R020M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA120R020M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA120R020M1HXKSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 98 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMZA120R020M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	98 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26,9mOhm bei 41A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,2V bei 17,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	109 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3460 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-4-8
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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