Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 5.917 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMT65R075M2HXUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMT65R075M2HXUMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 30A LHSOF-4
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 141W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHSOF-4-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	95mOhm bei 11,9A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	516 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	141W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-LHSOF-4-1
Gehäuse / Hülle	4-PowerLSFN
Basis-Produktnummer	IMT65R075

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 1 000

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 4,85000	€ 4,85
10	€ 3,23200	€ 32,32
100	€ 2,31940	€ 231,94
500	€ 1,93022	€ 965,11
1 000	€ 1,84378	€ 1 843,78

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.