Name: IMTA65R075M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Price: 5.5632 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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IMTA65R075M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMTA65R075M2HXTMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMTA65R075M2HXTMA1
Beschreibung	IMTA65R075M2HXTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 141W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHSOF-4-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	68mOhm bei 11,9A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	516 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	141W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-LHSOF-4-1
Gehäuse / Hülle	4-PowerLSFN

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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10	€ 3,03400	€ 30,34
100	€ 2,16910	€ 216,91
500	€ 1,80020	€ 900,10
1 000	€ 1,70052	€ 1 700,52

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