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Infineon Technologies
Vorrätig: 6
Stückpreis : € 1,78000
Datenblatt
IGBT 650 V 18 A 70 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
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IKP08N65H5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IKP08N65H5XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IKP08N65H5XKSA1
Beschreibung
IGBT 650V 18A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 18 A 70 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IKP08N65H5XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Eingangstyp
Standard
Hersteller
Infineon Technologies
Gate-Ladung
22 nC
Serie
Td (on/off) bei 25°C
11ns/115ns
Verpackung
Stange
Testbedingung
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Status der Komponente
Obsolet
Umkehrerholungszeit (trr)
40 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
18 A
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
24 A
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 8A
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-111
Leistung - Max.
70 W
Basis-Produktnummer
Schaltenergie
70µJ (Ein), 30µJ (Aus)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IKP08N65F5XKSA1Infineon Technologies6IKP08N65F5XKSA1-ND€ 1,78000Parametrisches Äquivalent
Obsolet
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