IGBT 650 V 10.8 A 31.2 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IKA08N65H5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IKA08N65H5XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IKA08N65H5XKSA1
Beschreibung
IGBT 650V 10.8A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT 650 V 10.8 A 31.2 W Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IKA08N65H5XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10.8 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
24 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,1V bei 15V, 8A
Leistung - Max.
31.2 W
Schaltenergie
70µJ (Ein), 30µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
22 nC
Td (on/off) bei 25°C
11ns/115ns
Testbedingung
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)
40 ns
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-111
Basis-Produktnummer
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