Name: IGB50N65S5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB50N65S5ATMA1TR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

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IGB50N65S5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IGB50N65S5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IGB50N65S5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IGB50N65S5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGB50N65S5ATMA1
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 80 A 270 W Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGB50N65S5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Schaltenergie 1,23mJ (Ein), 740µJ (Aus)
Hersteller Infineon Technologies	Eingangstyp Standard
Serie TRENCHSTOP™ 5	Gate-Ladung 120 nC
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) bei 25°C 20ns/139ns
Status der Komponente Aktiv	Testbedingung 400V, 50A, 8,2Ohm, 15V
IGBT-Typ Trench Feldstopp	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80 A	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 200 A	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 1,7V bei 15V, 50A	Basis-Produktnummer IGB50
Leistung - Max. 270 W