Name: IAUCN10S7N040ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N040ATMA1TR-ND
Price: 3.1598 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUCN10S7N040ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN10S7N040ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN10S7N040ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN10S7N040ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN10S7N040ATMA1
Beschreibung	IAUCN10S7N040ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 130A (Tj) 142W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-34
EDA/CAD-Modelle	IAUCN10S7N040ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	130A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,2V bei 66µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	51.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3660 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	142W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-34
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN