Name: BSC0501NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC0501NSIATMA1TR-ND
Price: 2.2814 EUR
Availability: InStock

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BSC0501NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC0501NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC0501NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0501NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 29 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2200 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer BSC0501