Name: BSC0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0502NSIATMA1TR-ND
Price: 1.7446 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSC0502NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC0502NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC0502NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC0502NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0502NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 26 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC0502NSIATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 26 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 43W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSC0502
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 30A, 10V