Name: DMTH6010LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6010LPDQ-13DITR-ND
Price: 1.769 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH6010LPDQ-13
DigiKey-Teilenr.	DMTH6010LPDQ-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH6010LPDQ-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH6010LPDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6010LPDQ-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40,2nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2615pF bei 30V
Leistung - Max.	2,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8
Basis-Produktnummer	DMTH6010