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DMNH6008SCTQ | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | DMNH6008SCTQDI-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMNH6008SCTQ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | DMNH6008SCTQ Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) 20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2596 pF @ 30 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 210W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8mOhm bei 20A, 10V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT2610L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT2610L-ND | € 0,61385 | Ähnlich |
| CSD18534KCS | Texas Instruments | 1 431 | 296-35012-ND | € 1,79000 | Ähnlich |
| FDP75N08A | onsemi | 0 | FDP75N08A-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| HUF75344P3 | onsemi | 527 | HUF75344P3FS-ND | € 3,37000 | Ähnlich |
| IPP80N06S2L11AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP80N06S2L11AKSA1-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,44000 | € 2,44 |
| 50 | € 1,20320 | € 60,16 |
| 100 | € 1,08270 | € 108,27 |
| 500 | € 0,87136 | € 435,68 |
| 1 000 | € 0,80345 | € 803,45 |
| 2 000 | € 0,74635 | € 1 492,70 |
| 5 000 | € 0,68460 | € 3 423,00 |
| 10 000 | € 0,66930 | € 6 693,00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,44000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,97680 |












