Product Highlights

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Image of Renesas TP65H030G4P 650 V, 30 mΩ SuperGaN FET 30-mΩ-SuperGaN-FET TP65H030G4P für 650 V Datum der Veröffentlichung: 2025-09-30

Der 30-mΩ-Galliumnitrid-(GaN)-FET TP65H030G4Px von Renesas für 650 V ist ein im Normalzustand ausgeschaltetes Bauelement auf Basis der Gen-IV-Plus-SuperGaN-Plattform von Renesas .

Image of Transphorm Evaluation Boards and Kits SuperGaN®-Evaluierungsboards und -kits Datum der Veröffentlichung: 2023-05-24

Die SuperGaN® Evaluierungsboards und -kits von Transphorm bieten eine einfach zu bedienende Plattform für die Erforschung der Vorteile von GaN mit verschiedenen Topologien.

Image of Transphorm's TP65H035G4WS SuperGaN® 35mΩ GaN FET SuperGaN®-35mΩ-GaN-FET TP65H035G4WS Datum der Veröffentlichung: 2022-05-26

DerSuperGaN® FET von Transphorm bietet hohe Zuverlässigkeit, hohen Wirkungsgrad in einer leicht ansteuerbaren JEDEC-zugelassen Komponente.

Image of Transphorm's TDTTP2500B066B-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board 2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT Datum der Veröffentlichung: 2021-01-18

Das 2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT (PFC: power factor correction - Leistungsfaktorkorrektur) von Transphorm eignet sich für Anwendungen wie Stromversorgungen in Rechenzentren.

Image of Transphorm's TDTTP4000W065AN 4 kW PFC GaN Evaluation Board with Analog Control 4-kW-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP4000W065AN mit analoger Steuerung Datum der Veröffentlichung: 2020-08-25

Das hocheffiziente Evaluierungsboard TDTTP4000W065AN von Transphorm mit analoger Steuerung ist für die einphasige AC/DC-Leistungsumwandlung bis 4 kW ausgelegt.

TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs - Transphorm SuperGaN™-FET TP65H mit 650 V und 35 mΩ bzw. 240 mΩ Datum der Veröffentlichung: 2020-07-28

Die 650-V-SuperGaN™-FET der Gen. IV von Transphorm beinhalten zwei robuste, JEDEC-zugelassene Komponenten: den TP65H035G4WS und den TP65H300G4LSG.

Image of Transphorm’s TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET in TO-247 900-V-/50-mΩ-GaN-FET TP90H050WS im TO-247-Gehäuse Datum der Veröffentlichung: 2020-07-20

Das GaN von Transphorm bietet eine verbesserte Effizienz gegenüber Silizium durch geringere Gate-Ladung, geringere Übergangsverluste und geringere Umkehrerholungsladung.

Image of Transphorm's 4 kW Bridge-Less Totem-Pole PFC Evaluation Board Brückenloses 4-kW-Totem-Pole-PFC-Evaluierungsboard Aktualisiert: 2020-10-01

Das brückenlose 4 kW Totem-Pole-PFC-Evaluierungsboard von Transform bietet eine hohe Effizienz bei der einphasigen AC/DC-Wandlung.

Isolated Gate Driver Plus GaN FET Reference Designs - Skyworks Solutions and Transphorm Referenzdesigns für isolierte Gate-Treiber plus Hochspannungs-GaN-FETs Datum der Veröffentlichung: 2019-07-01

Die Partnerschaft von Skyworks Solutions und Transphorm bietet ein Referenzdesign an, das die Bewertung von Hochspannungs-GaN-FETs vereinfacht.

Image of Transphorm TP65H035WSQA Gen III AEC-Q101 Qualified GaN FET AEC-Q101-konformer Gen III-GaN-FET TP65H035WSQA Datum der Veröffentlichung: 2019-04-03

Der neueste Gen III-GaN-FET von Transphorm bietet eine hochzuverlässige, hocheffiziente Hochspannungs-Leistungsumwandlung in einer einfach zu bedienenden automobiltauglichen Komponente.

Transphorm Design Resources Design-Ressourcen Datum der Veröffentlichung: 2019-01-07

Erkunden Sie die Tools und Ressourcen von Transphorm, die Sie bei der Entwicklung von GaN-Anwendungen unterstützen

Image of Transphorm's TP65H050WS/TP65H035WS GaN FETs Galliumnitrid(GaN)-Feldeffekttransistoren der dritten Generation (Gen III) TP65H050WS/TP65H035WS Datum der Veröffentlichung: 2018-11-15

Die Gen-III-GaN-FETs TP65H050WS und TP65H035WS von Transphorm zeichnen sich durch erhöhte Störfestigkeit und erhöhte Gate-Zuverlässigkeit aus, was zu einem ruhigen Schalten führt.

Image of Transphorm's TP65H035WS Cascode GaN FET Kaskoden-GaN-FET TP65H035WS Datum der Veröffentlichung: 2018-08-08

Der Kaskoden-GaN-FET TP65H035WS von Transphorm bietet überlegene Zuverlässigkeit, Leistung und verbesserte Effizienz gegenüber Silizium.

TDTTP4000W066B-KIT 4 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board - Transphorm 4 kW Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP4000W066B-KIT Datum der Veröffentlichung: 2017-12-27

Das 4 kW Totem-Pole-GaN-Evaluierungsboard von Transphorm mit Leistungsfaktorkorrektur ist ideal für Rechenzentren und umfassend verwendbaren industriellen Stromversorgungen.

TDTTP2500P100-KIT 2.5 kW Totem-Pole PFC GaN Eval Board - Transphorm 2,5 kW Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500P100-KIT Datum der Veröffentlichung: 2017-12-27

Das brückenlose 2,5 kW Totem-Pole-GaN-Evaluierungsboard von Transform mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC) verfügt über den 72mΩ-GaN-FET TPH3212PS für 650 V.

Image of Transphorm's TDHBG2500P100: 2.5 kW Half-Bridge Evaluation Board 2,5-kW-Halbbrücken-Evaluierungskarte TDHBG2500P100 Datum der Veröffentlichung: 2017-01-30

Die Halbbrücken-Evaluierungskarte TDHBG2500P100 bietet die Elemente eines einfachen Abwärts- oder Aufwärtswandlers zum grundlegenden Studium der mit den 650-V-GaN-FET von Transphorm erreichbaren Eigenschaften und Effizienz.