Galliumnitrid(GaN)-Feldeffekttransistoren der dritten Generation (Gen III) TP65H050WS/TP65H035WS

TP65H050WS und TP65H035WS von Transphorm sind 650-V-GaN-FETs der dritten Generation. Sie bieten geringere EMI, erhöhte Störfestigkeit gegen Gate-Rauschen und mehr Spielraum für die Bauhöhe von Schaltungsanwendungen. Der TP65H050WS (50 mΩ)und der TP65H035WS (35 mΩ) sind erhältlich in Standard-TO-247-Gehäusen.

Ein MOSFET sowie Modifikationen im Design ermöglichen es diesen Gen-III-Geräten, eine von 2,1 V (Gen II) auf 4 V erhöhte Schwellenspannung (Rauschfestigkeit) zu liefern, wodurch keine negative Gate-Ansteuerung erforderlich ist. Die Zuverlässigkeit des Gates erhöhte sich im Vergleich zu Gen II um 11% auf maximal ±20 V. Dies führt zu einem leiseren Umschalten und die Plattform bietet eine verbesserte Performance bei höheren Stromstärken mit einfachen externen Schaltkreisen.

1600T von Seasonic Electronics Company ist eine brückenlose 1600-W-Totem-Pol-Plattform, die diese Hochspannungs-GaN-FETs verwendet, um 99 % PFC-Effizienz (Leistungsfaktorkorrektur) in Batterieladegeräten (E-Roller, Industrie und andere), PC-Stromversorgungen, Servern und Spielen zu ermöglichen. Die Verwendung dieser FETs mit der siliziumbasierten Plattform 1600T bietet unter anderem einen um 2% höheren Wirkungsgrad und eine um 20% höhere Leistungsdichte.

Die 1600T-Plattform verwendet Transphorms TP65H035WS, um eine höhere Effizienz in hart und weich geschalteten Schaltkreisen zu erreichen und Benutzern Optionen für die Entwicklung von Stromversorgungsprodukten zu bieten. Der TP65H035WS kann mit häufig verwendeten Gate-Treibern kombiniert werden, um die Konstruktion zu vereinfachen.